Et annet alternativ verdt å diskutere er å bruke FGH30N60LSD-enheter. Det er en 30A/600V IGBT med en metningsspenning VCE(SAT) på kun 1,1V. Slukkingstapet EOFF er veldig høyt og når 10mJ, så det er kun egnet for lavfrekvent konvertering. På-motstanden RDS(ON) til en 50 milliohm MOSFET ved driftstemperatur er 100 milliohm. Derfor, ved 11A, har den samme VDS som VCE (SAT) til IGBT. Siden denne IGBT er basert på en eldre nedbrytningsteknologi, endres ikke VCE(SAT) mye med temperaturen. Derfor kan denne IGBT redusere det totale tapet i utgangsbroen, og dermed øke den totale effektiviteten til omformeren. FGH30N60LSD IGBT bytter fra én kraftkonverteringsteknologi til en annen dedikert topologi hver halve syklus er også veldig nyttig. IGBT brukes som en topologisk bryter her. I den raskere konverteringen brukes konvensjonelle og raske gjenopprettingsenheter for superkryss. For den 1200V dedikerte topologien og full brostruktur, er den nevnte FGL40N120AND svært egnet for bryteren til den nye høyfrekvente solcelle-omformeren. Når spesiell teknologi krever dioder, er Stealth II, Hyperfast™ II dioder og karbon silisium dioder gode løsninger.

Vennligst ta en visning og bedre forstå oss:

20000 watt pure sine wave ac inverter