Alle topologier krever raske strømbrytere. Boost-trinnet og full-bro-konverteringstrinnet krever raske svitsjedioder. I tillegg er brytere optimalisert for lavfrekvent (100Hz) konvertering også nyttige for disse topologiene. For enhver spesiell silisiumteknologi har brytere optimalisert for rask svitsjing høyere ledningstap enn brytere som er optimalisert for lavfrekvente svitsjapplikasjoner.

Forsterkningstrinnet er generelt utformet som en kontinuerlig strømmodusomformer. Velg om du vil bruke 600V eller 1200V enheter i henhold til antall solcellemoduler i arrayet som brukes av omformeren. De to alternativene for strømbrytere er MOSFET og IGBT. Generelt sett kan MOSFET arbeide med en høyere byttefrekvens enn IGBT. I tillegg må påvirkningen av kroppsdioden alltid vurderes: det er ikke noe problem i tilfellet med boost-stadiet, fordi kroppsdioden ikke leder i normal driftsmodus. Ledningstapet til en MOSFET kan beregnes basert på ledningsmotstanden RDS(ON). For en gitt MOSFET-serie er dette proporsjonalt med det effektive dysearealet. Når merkespenningen endres fra 600V til 1200V, vil ledningstapet til MOSFET øke kraftig. Derfor, selv om klassifisert RDS(ON) er ekvivalent, er 1200V MOSFET ikke tilgjengelig eller prisen er for høy.

Vennligst ta en visning og bedre forstå oss:

20000 watt pure sine wave ac inverter